IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。　　IGBT的触发和关断要求给其...

　　2013 年 3 月 19 日至 21 日慕尼黑上海电子展在上海新国际博览中心盛大召开，据悉，北京落木源电子携6大系列共60余种IGBT驱动器产品参展，受到各界同仁普遍关注。　　为满足部分行业客户对小体积大功率IGBT驱动器的需求，落木源电子特展示出一款卧式驱动片---- KA105，据了解， KA105采用领先于国内外同行业厂家的技术，输出电流达到45A，输出功...

　　IGBT技术不能落后于应用要求。因此，英飞凌推出了最新一代的IGBT芯片以满足具体应用的需求。与目前逆变器设计应用功率或各自额定电流水平相关的开关速度和软度要求是推动这些不同型号器件优化的主要动力。这些型号包括具备快速开关特性的T4芯片、具备软开关特性的P4芯片和开关速度介于T4和P4之间的E4芯片。　　 　　表1简单介绍了IGBT的3个折衷点，并对相...

       1引言　　进入21世纪，随着全球经济的发展和科学技术的进步，人们对电的依赖越来越多，电力已经成为人们日常生活和生产中必不可少的动力来源。而与此同时，环境污染日益严重，不可再生能源却正被耗尽，资源缺乏的压力不断增加。这样，如何解决人们赖以生存的环境问题，如何解决人们需求增加与资源不断减少之间的矛盾，成为当今...

　　矩阵式变换器是一种强迫换相的交-交变换器，它由9个可控的双向开关，利用PWM控制将交流供电电源直接变换成负载所需的变压变频电源，其结构如图1所示。双向开关使用两个IGBT共集电极反向串联，利用器件内部的续流二极管以阻挡反向电压，结构紧凑，方便简单，开关损耗也较低。输入侧的L-C滤波器可有效减少输入电流的开关频率谐波。　　图1：矩阵式变换器的原理性结构图　　...