- 202104-23恶劣环境下晶闸管强触发脉冲系统的抗干扰措施[摘要]:本文简要介绍了几种实用的强触发脉冲系统的抗干扰措施,这些措施在实践中被证明是有效的,且成本低廉。 [关键词]:恶劣环境下晶闸管强触发脉冲系统的抗干扰措施 1.引言 晶闸管脉冲触发系统在电力、电子等工业领域(如整流、有源逆变、交流调压、变频器及斩波器等方面)有着极其广泛的应用。而脉冲触发系统在现场实际应用中能否正常可靠运行,很大程度上决定于该...
- 202104-23IGBT高能效设计在太阳能中的应用对于太阳能逆变器来说,绝缘栅双极晶体管(IGBT)能比其他功率元件提供更多的效益,其中包括高载流能力、以电压而非电流进行控制,并能使逆并联二极管与IGBT配合。本文将介绍如果利用全桥逆变器拓扑及选用合适的IGBT,使太阳能应用的功耗降至最低。 太阳能逆变器是一种功率电子电路,能把太阳能电池板的直流电压转换为交流电压来驱动家用电器、照明及电机工具等交流负载。如...
- 202104-23第2代FS SA T IGBT在感应加热系统中的应用高压IGBT的性能显著提高。现今最常用的IGBT技术是场截止IGBT(FS IGBT)技术,它结合了PT(穿通)和NPT(非穿通)IGBT结构的优点,同时克服了两者的缺点。FS IGBT在导通状态时提供较低的饱和压降VCE(sat),在关断时刻提供较低的开关损失。但由于传统的IGBT不含有固有体二极管,所以大多数开关应用通常将其与额外FRD封装在一起。本文将介绍飞兆半...
- 202104-23基于SiC双极结型晶体管的高能效设计在过去30多年中,诸如MOSFET和IGBT之类的CMOS替代产品在大多数电源设计中逐渐取代基于硅的BJT,但是今天,基于碳化硅的新技术为BJT赋予了新的意义,特别是在高压应用中。 碳化硅布局以同等或更低的损耗实现更高的开关频率,并且在相同形状因数的情况下可产生更高的输出功率。运用了SiC BJT的设计也将使用一个更小的电感,并且使成本显著降低。虽然运用碳化硅工...
- 202104-23浅述第2代FS SA T IGBT对单端谐振逆变器的作用高压IGBT的性能显著提高。现今最常用的IGBT技术是场截止IGBT(FS IGBT)技术,它结合了PT(穿通)和NPT(非穿通)IGBT结构的优点,同时克服了两者的缺点。FS IGBT在导通状态时提供较低的饱和压降VCE(sat),在关断时刻提供较低的开关损失。但由于传统的IGBT不含有固有体二极管...